《表5 配合物各自旋态在不同泛函下的单点能E0及高低自旋能级差 (ΔE0=EHS-ELS)》

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《八氰钨-钴异金属配合物的合成、结构和理论研究》

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由于计算模型和固态晶体结构之间存在一定的差异，以晶体结构为基础，充分考虑X-射线衍射及结构解析特点，只对H原子位置进行了限制性优化，然后在上述限制性优化所得结构基础上，选取不同泛函，在def2-TZVP水平下，计算了配合物不同自旋态的单点能，结果见表5。从表中数据可以看出，对于不同泛函，高自旋态单点能EHS均低于低自旋态能量ELS，由此可以推断出配合物中CoⅡ为高自旋态，自旋量子数S=3/2，这与晶体结构所得的键长数据也是吻合的。