《表7 各关键因素优化分层试验分组及试验后SAT结果》

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《SOP8分层探究及解决》

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采用实验设计（DOE）进行SOP8抗分层封装制程的优化，通过引线框架镀银优化、EMC型号优选、电镀锡制程参数等交叉组合对比试验，以便找出最佳组合，以此来解决分层。引线框架压焊点分为全镀银、环镀银和裸铜3种，芯片粘接采用9246银胶，EMC比较两种典型的EME-G600F-L、CEL-1702HF，电解电镀锡参数分别为0 V、25 MPa和2.0 V、25 MPa，共进行10组试验，试验及试验后SAT扫描结果如表7所示。