《表9 Cu-Zn前驱体在0.1 mol/L盐酸溶液中的腐蚀电流密度与腐蚀速率》
图13为2种前驱体在0.1 mol/L盐酸中的极化曲线与腐蚀电位。由图可见,Cu30Zn70前驱体的腐蚀电位都低于–0.6 V,而Cu50Zn50前驱体的腐蚀电位则高于–0.3 V,整体上明显高于前者。更高的腐蚀电位说明了Cu50Zn50前驱体更难腐蚀。通过对极化曲线的拟合分析,可以得到前驱体的腐蚀电流密度,并据此计算得出其腐蚀速率,如表9所示。Cu30Zn70前驱体的腐蚀速率远远大于Cu50Zn50前驱体,两者相差1个数量级以上。结合XRD结果可知,这是由于不同前驱体在脱合金起始阶段所腐蚀的相不同所致:Cu30Zn70前驱体中CuZn5优先被腐蚀,Cu50Zn50前驱体中腐蚀即为CuZn相。Zn和Cu的较大电极电位差导致含Zn量不同的物相之间存在着腐蚀难易程度上的差异,CuZn5的Zn占比显著高于CuZn,更易优先发生选择性腐蚀。且结合表1与图13b可发现,在Cu30Zn70前驱体中,CuZn5的含量越高,其腐蚀电位越低,腐蚀越容易进行。而Cu50Zn50前驱体中仅含单一相CuZn,其腐蚀电位远远高于CuZn5和Cu5Zn8。因此造成了2种前驱体在低浓度腐蚀液中脱合金后,脱Zn程度差异较大,直观表现即为脱合金后物相及纳米结构的不同。
图表编号 | XD0029185000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 马研、杨卿、孙少东、梁淑华 |
绘制单位 | 西安理工大学、西安理工大学、陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室、西安理工大学、陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室、西安理工大学、陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |