《表1 图3a各特征点A～G的能谱分析结果》

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《瞬间液相(TLP)扩散连接GH4169/TC4接头的微观结构及力学性能》

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通过接头区域EDS线扫描结果（图3b），和EDS元素分布图（图3c）结果可以得知接头区域主要包括3个反应层，如图所示的“2+3+4”、“6”和“8”层。中间层薄膜元素Ti、Ni在接头处出现明显的浓度梯度分布，由于Ni向Ti中的扩散速率远大于Ti向Ni中的扩散速率，所以Ni向钛合金一侧的扩散更充分，而Ti向高温合金一侧扩散的距离不长[18]，这与“1”层上Ti含量几乎为0的结果相一致；“2+3+4”层是GH4169高温合金中的基体元素Ni与中间层元素Ti发生反应所形成的区域；“6”层是Ti、Ni箔在高温下相互反应所形成的深灰色相；“8”层中Ti、Ni的浓度分布出现了平台，可以推测该区有金属间化合物生成[18]。为进一步确定各反应层产物，对各层的特征点进行能谱分析，各特征点A～G的位置如图3a标示，能谱分析结果见表1。根据元素在中间各层的分布和比例，可以推测“2+3+4”层可能是Ni（s，s）和Ti-Ni化合物所形成的界面；“6”层主要是由Ti和Ni两元素组成，2种元素的原子比约为2:1，可以推测“6”层为Ti2Ni金属间化合物层；“8”层上Ti和Ni两元素质量分数分别为58.26%、39.56%，故推测该层生成了TiNi、Ti2Ni 2种金属间化合物。从而可知，在TLP扩散连接过程中，从GH4169侧到TC4侧形成了接头的典型界面结构为“GH4169/Ni（s，s）/TiNi3/Ti2Ni/Ti/Ti2Ni/Ni/TiNi+Ti2Ni/TC4”。