《表1 辉铜矿在有菌和无菌体系下的稳态极化参数》

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《有菌和无菌体系下辉铜矿氧化电化学》

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辉铜矿在有菌和无菌体系下的稳态极化参数如表1所示.对比发现两种体系下稳态极化曲线趋势相近，点蚀电位较低，是辉铜矿第一步氧化反应在两体系中较低电位下都可以进行的原因；无菌体系致钝电位（Ep=0.659 V）较低，且存在过钝化区，有菌体系致钝电位（Ep=0.930 V）较高，无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系，原因在于辉铜矿第一步氧化生成具有致钝作用的氧化中间产物在表面积累，阻碍辉铜矿的氧化反应进行，文献报道这层中间产物为“硫膜”[21]，细菌存在时，对钝化层物质具有一定氧化作用，辉铜矿电极表面钝化效果减弱，因此有菌体系辉铜矿的第一段反应活化区电位区间较大.当扫描电位高于钝化电位Ep后，辉铜矿电极表面钝化层物质被击穿，极化过程进入第二段反应活化区，反应电流随电位升高而迅速升高.