《表2 2种工艺环阵的静态电流对比》

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《FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比》

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A

对于22 nm FDSOI工艺环阵，非背偏的静态电流Iddsb为2.99×10-9A。在背偏的情况下，最小静态电流为1.33×10-9A，电流降低了56%；最大静态电流为5.34×10-9A，增加了2倍。具体对比结果如表2所示。