《表3 2种工艺环阵的工作电流对比》

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《FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比》

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A

对于22 nm FDSOI工艺的环阵，非背偏的工作电流Iddop为7.03×10-5A。在背偏的情况下，最小工作频率下的工作电流Iddop为2.44×10-5A，电流降低了65%；最大工作频率下的工作电流Iddop为9.04×10-5A，增加了29%。图7展示出了在不同背偏情况下工作电流Iddop整体变化情况。具体对比结果如表3所示。