《表2 两种电流源温度系数对比》

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《一种利用体偏置改善温度特性的电流源》

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采用Cadence Spectre仿真工具，基于130 nm SOI工艺，对所提结构在-40～85℃温度范围内进行了仿真验证。图6所示为所提电流源输出随电源电压变化曲线。图7（a）与（b）分别为无体偏置电流源与有体偏置电流源的输出电流在不同工艺角下随温度变化的曲线。为了体现衬底电压对km、kVTH1的调节，仿真时，只改变MOS管的工艺角，电阻的工艺角保持不变。两种不同电流源电路不同工艺角下的温度系数对比如表2所示。