《表1 2种工艺环阵的输出频率对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

MHz

在22 nm FDSOI环阵中，非背偏的工作条件是Vpbb=0 V且Vnbb=0 V，输出频率Ferq为158 MHz。背偏的情况下，Vnbb=-0.4 V且Vpbb=+1.2 V时频率为57.8 MHz，是后仿真范围内的最小频率，频率降低了63%；在Vnbb=+0.4 V且Vpbb=+0.4 V时频率为206 MHz，是后仿真范围内的最大频率，频率提升了30%。图5展示出了输出频率的整体变化情况，注意到Vnbb对性能有更大的影响。具体对比结果如表1所示。