《表2 硅晶体表面微凸起的定量测量值Table 2 Quantitative measurements of micro-protrusions on the surface of silicon》下

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《基于干涉法的晶体表面微损伤的定位与表征》

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如图5所示，通过AFM获取晶体表面微小损伤局部区域的形貌特征。从图5可以发现，该损伤实际是微小的凸起。根据所能观测到的损伤状态，选择该凸起走向上4处损伤特征较为明显的位置，即图5中的A、B、C、D，并分别测量各位置的宽度和高度，测量结果列于表2。该凸起特征的宽度W与高度H分别位于[1.47μm，2.73μm]与[36.41 nm，62.82 nm]这两个区间，即宽度比高度大许多，两者之比的均值约为46.52。为了进一步评估该凸起对晶体光学性能的影响，需要对其进行影响性评估。