《表1 退火前后的折射率变化以及对气体配比的依赖关系》

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《掺Ge氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究》

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退火是半导体加工中常见的过程，一般分为直接降温法和阶梯式退火等方式.各层薄膜生长后均采用退火处理，通常情况下每生长一层薄膜进行一层退火，主要目的是使薄膜层更加致密并且能够减小薄膜粗糙度，以及通过退火回流影响薄膜性质.通过实践还发现，随着GeH4流量的增加，退火后芯层折射率增加得更快，而这在薄膜沉积过程中是不利的，导致折射率的不可控性；对于包层而言，其折射率受B2H6与PH3的比值影响很大，BPSG的含量同样影响退火前后折射率的变化，如表1所示.