《表1 Ta2O5薄膜在不同激光强度时Ta—O、VO2+、CO峰面积百分比》

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《激光对固态电解质金属氧化物薄膜晶体管性能的影响》

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上述结果清楚地表明，激光照射对基于Ta2O5/ITO TFT的性能有明显影响。为了进一步理解其机理，我们利用O1s-XPS核级XPS谱研究了Ta2O5薄膜的结构重组现象。图6（a～d）所示为不同激光强度下Ta2O5薄膜的O1s峰，（530.4±0.1）、（531.5±0.1）eV和（532.5±0.1)eV处对应的去卷积峰通常归属于金属氧化物晶格（Ta—O）、氧空位（VO）和碳相关杂质（CO）。可以明显观察到，激光照射导致了Ta2O5薄膜的结构重组，特别是在较高的激光强度下。表1为Ta2O5薄膜Ta—O、VO、CO峰的面积百分比，结果表明，随着激光强度从263 mJ/cm2增加到358mJ/cm2，氧空位VO的相对含量从23.2%增加到34.0%，而Ta—O的面积百分比由69.9%下降到54.6%。该结果清楚地表明，在激光照射下Ta2O5薄膜中产生了大量的氧空位，从而显著增加了沟道中载流子的浓度，并最终导致开态电流的增加以及阈值电压的负漂。该研究结果还表明，为了通过Ta—O键的解离获得更多的氧空位，激光强度的最小阈值是必要的。