《表1 光电探测器的电光特性》
光电探测器是光功率探测的核心器件,其作用是将输入的光功率转换成光电流,在探测领域中使用最多的半导体光电探测器主要有两种:一是PIN光电二极管,二是雪崩光电二极管(APD)[5]。实验选用InGaAs型PIN光电探测器,原因在于其在通信波段800~1700nm范围内具有更高的光谱响应度和更快的响应时间。与APD相比,PIN光电探测器不需要单独设计高压偏置电路,就能够满足光纤通信波段的测试需求。基于暗电流、上升时间、偏置电压和带宽等因素,实验选用Light Sensing公司生产型号为LSIPD-LD50的InGaAs光电探测器,电光特性如表1所示,其能够显著降低系统噪声,提高整机的测量线性度、灵敏度及光功率测量范围[6],其中VR是反向电压,IR是反向电流,RL是负载电阻。
图表编号 | XD00222347800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.10 |
作者 | 金操帆、张翔、陈涛、郭跃、汪衍景 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第二十三研究所上海市光传输与光传感工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第二十三研究所上海市光传输与光传感工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第二十三研究所上海市光传输与光传感工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第二十三研究所上海市光传输与光传感工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第二十三研究所上海市光传输与光传感工程技术研究中心 |
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