《表1 ACC、LCC和MMC方案对比》

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《面向高压直流输电的电流源型主动换相换流器研究综述》

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针对ACC、LCC和MMC 3种方案进行了仿真计算，3种换流器的损耗是通过计算机软件搭建仿真模型计算得到，换流器的损耗主要包括功率半导体器件的开关损耗和导通损耗，相关损耗数据是通过对所选功率半导体器件的数据手册查表得到。3种方案的电路拓扑及仿真结果对比见表1。由对比结果可见，ACC方案的功率半导体器件数量、交/直流滤波器数量、功率运行范围、换流器效率、总体造价都介于LCC和MMC之间。需要说明的是，考虑现有功率半导体器件的发展水平，所分析的ACC中可承受反向电压的功率半导体器件由非逆阻型压接封装的IGBT串联二极管实现。因此表1中ACC的方案需要1680只IGBT和1680只二极管。如果ACC中采用与表1中IGBT同等电压、同等电流的逆阻型的半导体器件，则表1中的1680只二极管不再需要。另外，从所需储能电容方面比较，ACC和LCC不需要电容，MMC需要大量电容；从黑启动能力方面比较，ACC和MMC具备黑启动能力，LCC不具备黑启动能力。