《表1 Zn Nb2O6总能量与空位形成能》

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《空位缺陷对ZnNb_2O_6光电特性影响的第一性原理研究》

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对比各体系空位原子所在界面的差分电荷密度（图2），VNb体系晶格畸变较为明显，与原Nb相邻的O–Zn键发生了大幅偏移，导致附近的Zn原子失电子程度加剧（图2(c）)。形成空位缺陷时，各体系原子电荷再分配，化学键对电子约束能力发生改变，对相邻原子的距离产生影响，体现不同程度晶格畸变，这种约束力的改变与八面体中心原子电负性密切相关。