《表1 不同掺杂对HfO2和ZrO2等铪基氧化物中氧空位形成能调制效应》

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《铪基氧化物材料及其器件应用》

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对于铪基氧化物阻变器件，在铪基氧化物高K/金属栅技术中普遍采用的通过掺杂与界面工程方法改善、调制器件性能的技术路径仍然有效。在氧化铪阻变材料中，采用不同的掺杂可调制氧空位形成能，如表1所示[2]。