《表4 铌酸锌材料体系原子布居数》

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《空位缺陷对ZnNb_2O_6光电特性影响的第一性原理研究》

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对各体系中键（表3）与原子（表4）Mulliken布居数分析表明：在形成化合物时，O原子得到电子带负电荷，Zn与Nb原子会失去部分电荷带正电核，Nb原子的总体电荷数均大于Zn原子，与电负性表现一致。另O原子与Zn、Nb原子的成键布居数基本为正值，说明O原子与Zn、Nb原子之间形成较强的离子键。O–O键的布居数为负值，表现为反键状态。表3中VNb体系中会出现O–Zn键布居数为负值的情况，这与局部Zn原子p轨道电子的再分配相关（表4）。