《表2 部分活性元素氧化物的表面应用提高TGO粘结性的机理解释[70,86,87]》
对于活性元素氧化物的表面应用对TGO粘结性提高的机理解释,从已有的研究分析,部分可以用形成氧化物“Key on”结构来解释,如表2[70,86,87]所示,表中同时也列出了其他的机理解释。通过对比表2[70,86,87]中序号1和3所列的情况可以得到,氧化物“Key on”结构的形成要有一定的助推元素加入才可以,很显然在序号1中,将Ce O2应用于Ni-20%Cr-1%Si合金表面,在高温氧化过程中,Si O2助推了氧化物“Key on”结构的形成[86]。
图表编号 | XD00202002100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.02.11 |
作者 | 杨亮、吕皓天、万春磊、巩前明、陈浩、张弛、杨志刚 |
绘制单位 | 清华大学材料学院、清华大学材料学院、清华大学材料学院、清华大学材料学院、清华大学材料学院、清华大学材料学院、清华大学材料学院 |
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