《表1 AC材料表面催化氧化NO机理解释[41]》

《表1 AC材料表面催化氧化NO机理解释[41]》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《常温下碳基活性材料催化氧化NO的研究进展》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

Claudino等[40]提出AC表面NO氧化是一个以NO为吸附物的微孔填充过程,即AC中狭窄的微孔充当了NO氧化的纳米催化反应器。此后,Adapa等[41]提出了两种NO催化氧化机理模型:即Langmuir-Hinshelwood模型(L-H模型)和EleyRideal模型(E-R模型)。如表1所示,L-H模型认为,气相NO和O2首先吸附在ACF的空活性位点上,然后碳表面吸附的NO被氧化成吸附态NO2;随后,吸附态NO2可进一步反应,形成吸附态NO3、NO-NO3等多种中间体;最后,中间体再解析成气相NO2,释放出活性空位,使得整个反应持续进行。E-R模型认为,吸附态的NO与气相O2直接反应(而不是吸附态的O2)并产生吸附态的NO2。