《表3 半脂环PBO的化学结构及其介电性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《低介电聚苯并噁唑材料研究与应用进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注：*表示光学介电常数。

脂环结构单元可以有效切断芳杂环高分子材料分子链内部以及分子链间电荷的转移作用，进而改善传统芳杂环高分子薄膜的光学透明性，降低其折射率与介电常数。因此，脂环结构单元常被用于低介电常数芳杂环高分子材料的结构设计。对于PBO材料而言，脂环族双（邻氨基苯酚）单体的合成通常较为困难，而且反应活性较低，不适于制备PBO材料。因此，通常在二酸或二酰氯单体分子结构中引入脂环结构单元。脂环二酸单体如1，4-环己烷二甲酸的酸性往往要明显高于芳香族二酸，因此与双（邻氨基苯酚）单体聚合时有可能会由于生成盐而阻碍聚合物分子量的升高。Y OISHI等[30]采用原位硅烷化工艺制备了一系列半脂环结构PBO薄膜，制备过程如图6所示。首先将氨基和羟基进行硅烷化处理，有效避免了原料6FAP与脂环族二酰氯单体反应时的成盐问题，获得高分子量半脂环族PBO前驱体，然后将该前驱体进行水解，脱除三甲基硅醇，制得PBO前驱体，最后在加热条件下发生分子内脱水，最终制得的半脂环族PBO。制备的APBO-1与APBO-2薄膜的介电常数分别为2.65与2.50，如表3所示。