《表2 含氟PBO的化学结构及其介电常数》

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《低介电聚苯并噁唑材料研究与应用进展》

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注：*表示数据为光学介电常数。

T D DANG等[23]针对微电子封装对低介电耐高温高分子材料的应用需求，系统研究了含氟PBO（FPBO）结构与性能的关系。通过在传统PBO分子结构中引入含氟基团（降低摩尔极化率）、羟基取代基（形成分子内氢键）等手段成功开发了一系列FP-BO。研制开发的FPBO-1、FPBO-2以及FPBO-3的化学结构以及介电常数如表2所示。从表2可以看出，氟含量最高的FPBO-1具有最低的Dk值（2.32），但其Tg值仅为325℃。含有-OH取代基的FPBO-2的Tg值为426℃，而且Dk值仅为2.35。进一步提高-OH含量，FPBO-3的Dk值增加到2.88，Tg>450℃。因此，采用共聚手段可以实现Dk值与Tg值的调控，直至获得兼具优良耐热性能以及介电性能的FPBO材料。此外，K MAEDA等[19]采用非氟型双（邻氨基苯酚）单体与含氟型2，2-双（三氟甲基）-4，4-联苯二甲酸聚合制备的FPBO-5也表现出较低的Dk值（2.60）。