《表1 磁敏传感器与相应的物理效应》

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《磁敏传感器发展综述》

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磁敏传感器是具有高电子迁移率化合物半导体的具体应用。制造磁敏传感器所用材料为In Sb和Ga As。磁敏传感器在电磁方面的最直接应用是监测磁场大小及方向，研究人员也在积极利用计算机新技术不断丰富磁敏传感器的应用。通过对传感磁场的应用，许多物理量都能够转化为电信号，这极大拓宽了磁敏传感器的应用领域。电子信息技术的发展将集成电路技术应用于磁敏传感器，形成了集成电路磁敏传感器。一般的平面霍尔器件都对垂直于表面的磁场敏感，为了对磁场矢量的传感和测试，国内外许多院校和科研单位正研究对平行于表面的磁场敏感的垂直霍尔器件，并在集成电路的基础上形成了集成的磁罗盘和三维霍尔磁敏传感器。此外，霍尔器件电路的性能也有了极大的提高。采用了4个霍尔元件并联并正交放置，可以降低不等位电势，在N型半导体霍尔元件硅基底和二氧化硅间放置一层P型掩蔽层，除去了表面可移动电荷的影响，改善了霍尔元件的线性度，提高了灵敏度。霍尔电路中的过流保护电路和过热熔断电路以及温度补偿电路等，其工作温度达到150℃，能承受瞬时180℃的高温，因此霍尔元件在发动机定时点火和汽车ABS中可靠实用，可用于大功率直流无刷电机中。目前，技术成熟并已经较大规模地投入使用的磁传感器类型如表1。