《表9 寄生电容拟合效果比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

将Si C MOSFET功率器件的输入电容Ciss、输出电容Coss、转移电容Crss均看作关于漏源极电压uds的函数，即寄生电容C=f（uds）。文献[26]提出将输入电容Ciss看作常数，对输出电容Coss、转移电容Crss使用式（12）进行拟合，其与BP神经网络拟合曲线的比较如图22和表9所示。可知BP神经网络有更优的拟合性能。