《表3 封装寄生电感提取值》
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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》
本文设置VNA从100 k Hz到200 MHz扫频,间隔频率为1 MHz。提取到的S参数曲线,通过式(5)将二端口网络的S参数转换为Z参数,如图14所示,从而计算出寄生电感值与寄生电容值,分别列于表3和表4,并将所得到的寄生电容值与前文中半导体分析仪Agilent B1505A提取值和数据手册参考值相比较,其最大差值均小于5%,说明此方法具有较高的精确度。
图表编号 | XD00194986800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.31 |
作者 | 曾伊浓、易映萍、董晓帅 |
绘制单位 | 上海理工大学机械工程学院、上海理工大学机械工程学院、国家电网许继集团有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |