《表3 封装寄生电感提取值》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》


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本文设置VNA从100 k Hz到200 MHz扫频,间隔频率为1 MHz。提取到的S参数曲线,通过式(5)将二端口网络的S参数转换为Z参数,如图14所示,从而计算出寄生电感值与寄生电容值,分别列于表3和表4,并将所得到的寄生电容值与前文中半导体分析仪Agilent B1505A提取值和数据手册参考值相比较,其最大差值均小于5%,说明此方法具有较高的精确度。