《表1 减小寄生电感的方法》

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《GaN HEMT器件封装技术研究进展》

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除了上述器件级寄生电感优化以外，PCB布线、DBC图形以及功率模块中的键合线都会带来高频振荡，近年来研究者们提出了多种减小功率模块内部寄生电感的方法[13]，如表1所示。BROTHERS等[14]从Ga N模块内部平面功率环、平行相的级联布局、键合线的使用几个角度详细分析了布局设计对寄生电感的影响。首先，平行分布的Ga N芯片之间功率环电感却不对称，因此会带来源漏过冲电压、损耗以及热分布的不一致，通常需要设计使用通量相消路径来实现对称，使功率环路径电感最小化。图5（a）中栅驱动板的近距离安装就可以实现功率环和驱动环路的通量部分相消。其次，由于模块的直流输入端不是分布式母线排，每相回路电感不同，同样存在前面提到的不对称问题，而且级联相之间存在共用寄生电感，某一相的开关操作会直接影响其他相，因此建议安装带有分布式电容源的直流输入总线，如图5（b）所示，可以为所有平行相提供对称的功率环电感，同时尽可能减小彼此之间的共用电感。