《表1 Q3D提取寄生电感结果》

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《基于SiC MOSFET的多芯片并联功率模块不均流研究》

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利用Solidwork绘制模块的3D模型，Ansoft Q3D提取对应的寄生参数，如表1所示。由于数据较多，表中仅列出了3种方案功率回路以及驱动回路的关键寄生参数。根据寄生参数模型，在Saber中分别搭建3种布局下动态特性测试电路，仿真分析动态不均流。仿真条件相同：功率电压540 V/200 A；功率管型号CPM2-1200-0025B；驱动信号（脉冲电压源）：Tr=30 ns；Toff=30 ns。