《表2 各类功率放大器性能对比1) Table 2 Performance comparison of all kinds of power am-plifiers》
注:1) E/F3类、逆E类、E类的性能指标数据分别取自参考文献[3][9][13]。
本文采用GaN HEMT器件实现了工作频率为1.5GHz的平衡式E/F类功率放大器的设计。当漏极供电电压为28V,栅极供电为-3.15V,且输入功率为28dBm时,该功率放大器的输出功率达到41.54dBm,工作效率达到76.99%,功率附加效率为73.59%,输入/输出端驻波系数满足业界的标准,同时具有160 MHz的高效率工作带宽。该设计改善了功率放大器的性能,为下一步工程化提供了支撑,推进了功率放大器在微波频段处的工程应用。
图表编号 | XD0019437000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.28 |
作者 | 南敬昌、张鹏俊 |
绘制单位 | 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院、辽宁工程技术大学电子与信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |