《表4 6点区域内的氮化硅测试厚度》

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《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》

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经过三次多晶硅制作工艺后器件两侧的氮化硅明显存在差异，左侧由于有刻蚀图形降低负载效应，氮化硅区域的颜色一致；右侧存在负载效应造成中间区域颜色明显变深，对照区域氮化硅差距在16nm，测试结果如表4。