《表2 ONO氮化硅控制方式改善前后电性厚度对比×10-10m》

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《非易失闪存中堆叠电容的精度控制研究与改善》

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经ONO氮化硅控制方法优化后，同一批次产品氮化硅单层厚度、ONO总厚度及ONO电性厚度差异明显降低，圆晶之间均匀性改善明显，如表2所示，使ONO电性厚度（EOT）数据更收敛于安全窗口区间内.优化后器件的数据保持失效率、擦写速度失效率和修复资源占用明显降低，如表3所示.