《表2 各方案气隙磁密值：电涡流阻尼器冲击制动性能仿真与试验研究》

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《电涡流阻尼器冲击制动性能仿真与试验研究》

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采用电磁场仿真软件Ansoft Maxwell计算阻尼器静态磁场气隙磁密。图3为4种磁路设计方案的磁力线与磁密场分布云图，各方案气隙磁密曲线如图4所示。由图3、图4可知，方案1、2的气隙磁密峰值出现在磁靴端面对应位置，在磁靴端面之间气隙磁密有所降低，而在永磁体厚度中心位置出现气隙磁密谷值。而方案3、4仅在阻尼器两端存在气隙磁密分布，阻尼器内部气隙磁密接近于0。这是因为方案1、2的同极相对永磁体排列方式使每块磁靴都能够诱导磁力线穿过气隙到达导电内筒，而方案3、4的磁极同向排列方式对磁力线无诱导偏转作用，磁力线只在阻尼器两端形成磁回路，如图3所示。由表2的方案1、3与方案2、4数据对比可看出导磁外筒对磁路影响，方案1、3的气隙磁密峰值分别高于方案2、4，这是由于导磁外筒构建了磁通路，能将大部分磁力线封闭在阻尼筒内。