《表1 TGV晶片磨削条件及磨削结果》

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《圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺》

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表1为磨削条件及相关磨削结果。采用如表1所示条件对TGV晶片进行磨削。由表1可知，采用不同条件进行磨削时，TGV晶片表面均未露出预期的腔体图形。这可能与两种材料的硬度不同有关，玻璃的努氏硬度为418 kg/mm2，而硅的努氏硬度为850 kg/mm2，磨削用金刚石砂轮的努氏硬度为7 000~8 000 kg/mm2。采用粒径较大的砂轮（型号为600#）进行磨削时，由于撞击力较大而使晶片破碎；采用粒径稍小的砂轮（型号为1200#和3000#）进行磨削时，砂轮的磨粒与晶片间的贴合较紧密，粒径的减小使磨削力减小，砂轮高速旋转磨削产生的热量不能被及时排出致使温度迅速升高，玻璃在高温下变软、变黏，将砂轮“糊住”，砂轮的磨削性能进一步降低，如此恶性循环导致晶片表面出现不同程度的“焦片”现象，故磨削不适合TGV晶片的机械加工。