《表4 不同收集镜变形后的聚焦性能》
理想无变形收集镜以及熔融石英、SiC、AlSi基底收集镜变形后聚焦性能具体数值如表4所示。相对于无变形的收集镜而言,熔融石英、SiC、AlSi基底收集镜热变形后像面光斑几何(GEO)半径变化了3.070μm、0.327μm、9.777μm,熔融石英以及AlSi基底收集镜像面光斑几何半径变化较大;熔融石英、SiC、AlSi基底收集镜像面光斑的均方根(RMS)半径变化了0.029μm、0.003μm、0.028μm,相对于半径为225.253μm理想几何光斑半径而言几乎无变化。无变形的理想收集镜系统聚焦(IF)点波像差(WFE)为2.515λ,经过热变形的熔融石英、SiC、AlSi基底收集镜反射聚焦系统,IF点波像差分别增加5.360λ、1.812λ、8.071λ。不同材料基底收集镜的聚焦性能,受到热变形量和热变形分布的共同影响。从聚焦效果来看,三种基底材料均满足非成像系统或对成像质量要求不高的系统使用。而对于要求高质量成像曝光成像系统,根据实际要求,通过后续的光学系统进行光斑整形以及波像差补偿,可以达到需要的成像质量。
图表编号 | XD00188306700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.09.10 |
作者 | 谢婉露、吴晓斌、王魁波、罗艳、王宇 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心 |
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