《表2 收集镜椭球反射面温升情况》
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熔融石英、SiC、AlSi基底收集镜反射面的温升如表2所示,熔融石英基底收集镜反射面最高、最低温升分别为7.68℃、5.64℃,温升差为2.04℃;SiC基底收集镜反射面最高、最低温升分别为1.36℃、1.34℃,温升差为0.02℃;AlSi基底收集镜反射面最高、最低温升分别为1.39℃、1.37℃,温升差为0.02℃。从温升结果看,AlSi、SiC基底收集镜反射面温升相近,温升差在0.01℃量级,较熔融石英基底收集镜反射面温升差小两个数量级。
图表编号 | XD00188306400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.09.10 |
作者 | 谢婉露、吴晓斌、王魁波、罗艳、王宇 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心 |
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