《表3 AOTL66518 UIS RPF-Ias数据》

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《Power MOSFET UIS性能改善的研究》

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为了论证此观点是否正确，我们分别制作了6.6μm、6.2μm、5.8μm三批不同沟槽深度的晶圆，然后分别封装在TOLL封装内进行UIS RPF测试（根据应用场景，本次实验使用的电感为0.3m H）。对比数据如表3所示。