《表1 AOS66518 UIS RPF-Ias数据》

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《Power MOSFET UIS性能改善的研究》

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(1）避免产生极端电场强度。首先我们做了如下实验：在同一片wafer晶圆上分别选取wafer中心区域和边缘区域的芯片进行封装，并借助ITC-55100B分别测试UIS RPF-Ias能力（根据应用场景，本次实验使用的电感为0.3m H），从数据上我们很直观地发现wafer中心区域芯片的UIS RPF-Ias能力明显高于wafer边缘区域的芯片如表1。