《表2 AONS66595 UIS RPF-Ias数据》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Power MOSFET UIS性能改善的研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

(2）避免缺陷产生电流聚集效应。在研究AOS66595的UIS RPF特性（根据应用场景，本实验使用的电感为0.1m H）时发现，同一批次样品中有一颗RPF-Ias值明显低于其他数据，如表2所示。