《表1 典型OPC结构:集成电路掩模分辨率增强技术》
这种方法主要是根据成像系统光强分布的不均匀和工艺不均匀性的规律,在掩模图形设计时采用增减亚分辨率图形的办法使掩模图形产生预畸变,试图使成像后的图形边界满足设计要求。通常采用线端延长、线宽增减(bias)、外角添加或切除以及添加亚分辨率散射条图形(SB)等办法改善成像图形的质量,见表1、图6。
图表编号 | XD00184597100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.11.20 |
作者 | 华卫群、周家万、尤春 |
绘制单位 | 无锡中微掩模电子有限公司、无锡中微掩模电子有限公司、无锡中微掩模电子有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |