《表2 标定结果:基于阵列MEMS磁传感器的测量与标定方法》
标定结果统计如表2所示。从表2可以看出,采用阵列MEMS磁传感器标定结果比单个MEMS磁传感器标定结果更加接近于真值。利用式(30)(31)进行综合误差计算可知,单个MEMS磁传感器标定矩阵综合误差为7.8578,而阵列MEMS磁传感器标定矩阵综合误差仅为0.354。单个MEMS磁传感器标定偏置综合误差为0.4385,而阵列MEMS磁传感器标定偏置综合误差仅为0.0748。
图表编号 | XD00179621100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.01 |
作者 | 徐祥、朱琳、荆通、赵鹤鸣 |
绘制单位 | 苏州大学电子信息学院、苏州大学电子信息学院、苏州大学电子信息学院、苏州大学电子信息学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |