《表1 LIF神经元模型参数》
当神经元处于静息状态,即输入电流I(t)=0时,可知u(t)=uret。当输入电流I(t)>0时,电容C会进行充电,进而导致膜电位u(t)的升高;另一方面,若电容C上存在电荷积累,则电荷会随着时间而泄漏,膜电位u(t)也会因此降低,直至回落到静息状态。如果电容C的电荷积累速度高于泄漏速度,膜电位u(t)会持续升高到激发阈值,此时神经元会向外发射一个电脉冲,膜电位u(t)迅速降低至复位膜电位。本文中采用的LIF模型参数借鉴了目前成熟的研究成果[6-8],具体参数详见表1。
图表编号 | XD00170284500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.16 |
作者 | 尚瑛杰、何虎、杨旭、董丽亚 |
绘制单位 | 清华大学微电子与纳电子学系、清华大学微电子与纳电子学系、清华大学微电子与纳电子学系、清华大学微电子与纳电子学系 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |