《表1 Si Loss (硅损失) 分片条件》

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《功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善》

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（2） 利用孔后腐蚀Si表面的方式形成类似“凹形”区结构的方案可进行进一步确认，只需要在孔腐蚀完成后增加一步Si腐蚀即可，在线LV VDMOS工艺有采用类似结构，由于孔的位置不仅在Cell区，同时Poly上也存在部分孔，故在相同结构的HV VDMOS平台上安排了一个简单的Poly上孔后的模拟实验，主要分片方案如表1所示，在不同厚度Poly的孔腐蚀后增加不同深度的Si Loss（硅损失）拉偏。