《表1 不同界面修饰方法制备PSCs的光伏参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《界面修饰策略在钙钛矿太阳能电池中的应用》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

Zhang等[44]使用原子层沉积法直接在FTO表面沉积Al2O3层，用Al2O3层取代致密的Ti O2层。优化的Al2O3厚度可有效地阻止PVK/FTO界面处的电子复合，并通过隧道效应充分传输电子（图7），从而改善器件性能。Koushik等[45]使用原子层沉积技术直接在PVK上沉积Al2O3层。超薄Al2O3膜有效保护了PVK层，钝化了PVK表面由H2O和O2诱导的缺陷，同时Al2O3的疏水性阻碍了H2O的渗透。器件表现出出色的性能，实现了18%的稳态效率。此外，在没有封装的条件下，器件在室温和40%～70%RH空气环境中放置70 d后，依然可以保持初始效率的60%～70%，表现出良好的稳定性。不同界面修饰方法制备PSCs的光伏参数见表1。