《表1 钙钛矿太阳能电池的光伏性能及其界面电荷输运性能参数》

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《基于1D/0D有序复合SnO_2纳米晶的钙钛矿太阳能电池》

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电池器件的电流密度-电压（J-V）曲线如图6a所示，从J-V曲线得出其光电性能参数（表1）。从器件的入射单色光光电转化效率（IPCE）结果得到的积分电流与电池J-V曲线得到的短路电流基本一致，表明本实验测得的光电性能数据可靠（图6b）。为了便于比较，将各个样品的光电参数曲线绘制如图6c～6f所示。可以发现，1D纳米棒阵列的形貌影响电池的光电性能：ETL-2Cl与ETL-0Cl样品相比，器件的短路电流密度（Jsc）从20.6增大到21.37 m A·cm-2，这是因为纳米棒变细，较大的棒间距更有利于钙钛矿与纳米棒的接触以及二者之间的电子抽提；但是同时，较疏松的纳米棒阵列使得由FTO裸露引起的漏电压增加，造成器件的开路电压（VOC）和填充因子（FF）下降，电池的效率（η）随之下降。当在1D纳米棒阵列上复合零维纳米晶之后，器件的Jsc值变化不大，说明0D纳米晶的添加基本上不影响复合ETL对钙钛矿电子的抽提效果；然而，0D纳米晶对阵列底部的填充及其对裸露的FTO的覆盖修饰使得器件的VOC和FF值显著增加。尤其是ETL-2P样品增加效果明显，而ETL-0P样品的FF值有所下降，这可能是由于添加的0D纳米晶在其纳米棒上形成堆积（图2），阻碍了钙钛矿对ETL的渗透与接触所致。