《表2 不同PVK化合物制备C-PSCs的光伏参数及长期稳定性》

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《功能材料对太阳能电池稳定性影响——基于导电基底和光吸收剂的分析》

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PVK材料在稳定性方面存在很多缺点，持续光照会破坏PVK或其相邻接触层中相对较弱的键，产生卤素空位-卤素间隙对使卤素迁移，或将可能存在的任何氧气转化为高反应性的超氧化合物。例如：MAPb I3太阳能电池板在现场应用中遇到较高温度（65～85℃）会缓慢分解，并在器件通常的封装温度（135～150℃）下迅速分解[3]。由于热会使有机组分和卤化物挥发，而光会增强卤素的迁移率，特别是在适度的温度和光照下。因此，为了提高C-PSCs的稳定性，最简单而有效的措施是采用混合阳离子和混合卤素配方改善PVK本身卤素迁移的问题，提高PVK化合物的光和热稳定性。不同PVK化合物制备C-PSCs的光伏参数及长期稳定性见表2。