《表1 试验器件参数:VDMOS电离辐射效应快速评估方法》
试验选用辐照试验的样品的制作工艺、器件特性、最小线条尺寸等器件见表1。
图表编号 | XD00159655700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.05.15 |
作者 | 崔帅、王义元、李彩、卢健、陈斌 |
绘制单位 | 中国科学院微小卫星创新研究院、上海宇航系统工程研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国科学院微小卫星创新研究院、中国科学院微小卫星创新研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
试验选用辐照试验的样品的制作工艺、器件特性、最小线条尺寸等器件见表1。
图表编号 | XD00159655700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.15 |
作者 | 崔帅、王义元、李彩、卢健、陈斌 |
绘制单位 | 中国科学院微小卫星创新研究院、上海宇航系统工程研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国科学院微小卫星创新研究院、中国科学院微小卫星创新研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |