《表1 模型的参数：射频前端组件强电磁辐射场效应预测方法》

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《射频前端组件强电磁辐射场效应预测方法》

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本文器件电路联合仿真采取上述的器件结构，仿真利用ADS软件模拟强电磁脉冲条件下对低噪声放大器电路所产生的效应，用TCAD进行器件的工艺仿真，器件宽度设置为5×106μm，可以算出半导体内部的热量分布情况．以Avago公司的ATF54143为仿真对象，对此进行建模，模型参数如表1所示．