《表1 形状参量取值：基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法》

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《基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法》

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注:1) 图2（a），2) 图2（b），3) 图2（c），4) 图2（d）Note:1) Fig.2（a），2) Fig.2（b），3) Fig.2（c），4) Fig.2 （d）

用式（5）分析典型能谱下αC的取值情况，能谱条件如下:1) 由文献[3]，Eγ≤300 ke V时，DEF较明显，取EC=300 ke V；2) 设EC~1 Me V范围内的γ通量为F1，1~1.25 Me V的γ通量为F2，则R=F2/F1表示较低能散射γ占比；3) 4种典型能谱形状见图2，13种形状参量a、b和c组合取值见表1。图3给出了不同能谱下，αC对R的依赖关系，结果表明:αC取值范围1.75~4.52；αC随着R增大而减小；相较EC~1 Me V具体分布而言，αC受R影响较大。