《表1 B-C3N体系的带隙值、结构参数、Mulliken电荷以及结合能》

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《B掺杂C_3N对SO_2催化氧化的第一性原理研究》

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本文优化了二维材料C3N的几何结构并计算了电子性质，结果详见图1，得出的带隙值为0.476eV，这与以前报道的结果一致[14]。接着考察了B原子掺杂C3N(N空位与C空位）结构的几何参数和电子性质的影响，其中B掺杂C3N的N位记为B/N-C3N，B掺杂C3N的C位记为B/C-C3N。图2和图3分别为B/N-C3N和B/C-C3N的几何结构、能带结构和态密度。两种掺杂结构的带隙值、结构参数、Mulliken电荷及结合能的计算结果列于表1。