《表1 高温退火后样品中SiO2,Si2O3含量》
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对三个样品的Si 2p峰分峰处理，分峰图如图9.103.47 eV为SiO2的特征峰，102.1 eV为Si2O3的特征峰特征峰下所包络的面积占总面积的百分比即为该成分在样品中的含量.文献[17]中报道，硅的氧化物含氧量越高，密度越大，机械强度越高.结合表1可知，高温处理会将标准FBG中的Si2O3氧化.
| 图表编号 | XD00157611800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.07.01 |
| 作者 | 刘日照、陈明、郑加金、刘力、朱永刚、陈焕权、韦玮 |
| 绘制单位 | 南京邮电大学电子与光学工程微电子学院、南京邮电大学电子与光学工程微电子学院、江苏亨通光电股份有限公司、南京邮电大学电子与光学工程微电子学院、南京邮电大学电子与光学工程微电子学院、江苏亨通光电股份有限公司、南京邮电大学电子与光学工程微电子学院、南京邮电大学电子与光学工程微电子学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
