《表3 改善前后性能参数对比表》

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《KID65783AP显示IC的失效分析与研究》

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通过改变晶圆的内部的间隙来提高晶圆的抗静电能力，主要扩大如图14所示6个位置的间距。导入优化晶圆设计，将失效区晶圆内部区域间距放大，提高本体的ESD（MM）水平。如图14、表3所示，改善之后晶圆抗静电耐压能力明显提高。