《表2 电流数据参数：KID65783AP显示IC的失效分析与研究》

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《KID65783AP显示IC的失效分析与研究》

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由于故障品为EOS损伤，损伤点为输出端对地漏电流偏大，对现有测试项目强化，对各输出端增加耐电压检测项目。测定条件和方法：各channel的VCC→OUT Leak。具体测试条件如表2、图12、图13。